графена, графена. - к плотно имеет больших
Сайт о фамилии ШЛЕГ (SHLEG), ШЛЁГ (SHLEG, SHLYOG?SHLJOG?SHLIOG), ШЕЛЕГ (SHELEG)
На главную страницу

Мотиватор:
+17
-8
Сайт в разработке.

ШЛЕГ (SHLEG), ШЛЁГ (SHLEG, SHLYOG ? SHLJOG ? SHLIOG), ШЕЛЕГ (SHELEG)


Сайт о фамилии ШЛЕГ (SHLEG), ШЛЁГ (SHLEG, SHLYOG ? SHLJOG ? SHLIOG), ШЕЛЕГ (SHELEG). По всем вопросам пишите мне на shlegav@rambler.ru


Реклама:


Многослойный трехмерные графеновые транзисторы смогут стать заменой кремниевым технологиям.

Новый полевой туннельный транзистор, изготовленный на основе графена, был разработан командой ученых Манчестерского университета, возглавляемой Лауреатами Нобелевской премии профессорами Андреем Геймом и Константином Новоселовым. Использование графена в качестве ключевого материала транзисторов и других полупроводниковых приборов имеет огромный потенциал для того, что бы графен можно было рассматривать как достойную замену кремниевым технологиям. Именно этот потенциал и перспективы привлекают внимание таких производителей полупроводниковой продукции, как IBM, Samsung, Texas Instruments и Intel. И некоторые группы ученых уже успешно создали графеновые транзисторы, способные работать на частотах от 100 до 300 ГГц.

К сожалению, разработанные графеновые транзисторы не могут использоваться в плотно упакованных кристаллах современных компьютерных микросхем. Эти транзисторы работают на больших уровнях электрического тока, который заставит кристаллы чипов расплавиться в течение долей секунды. Манчестерские ученые разработали совершенно новую структуру полевого транзистора, состоящего из двух слоев графена, разделенных слоем диэлектрического материала. Получился своего рода управляемый туннельный диод в котором электроны от одного слоя графена проходят сквозь слой диэлектрика на другой слой с помощью туннельного эффекта.

Для того, что бы добиться высоких показателей нового транзистора ученые использовали одно из уникальных свойств графена. При приложении к поверхности графеновой пленки электрического потенциала определенной величины происходят сильные изменения величины энергетического барьера туннелирования электронов. И в результате этого получился вертикальный туннельный полевой транзистор в котором графен является ключевым компонентом.

Два графеновых электрода и управляющий электрод нового транзистора напоминают бутерброд, разделенный слоями дисульфида молибдена и нитрида бора атомарной толщины. Сборка транзистора выполнялась в лабораторной установке слой за слоем на атомарном уровне.

"Туннельный полевой графеновый транзистор является еще одним ярким примером, демонстрирующим неистощимый потенциал "слоистых" структур и электронных устройств на их основе" - рассказывает Константин Новоселов. - "Это дает людям и ученым практически бесконечные новые возможности в области фундаментальной физики и в области создания реальных практических устройств. Наша последняя разработка может найти применение в создании светодиодных, лазерных источников света, в фотогальванических элементах и во многих других областях".

"Мы продемонстрировали концептуально новый подход к созданию электроники на основе графена. И наши графеновые транзисторы уже обладают весьма внушительными рабочими характеристиками" 0 рассказывает доктор Леонид Пономаренко. - "После некоторых улучшений и доработок размер таких транзисторов будет уменьшен до нанометрового уровня, а их рабочие частоты могут приблизиться к терагерцовому пределу".

http://www.dailytechinfo.org/nanotech/3358-mnogosloynyy-trehmernye-grafenovye-tranzistory-smogut-stat-zamenoy-kremnievym-tehnologiyam.html



Промышленный дизайн - MainCrafT.org
Rambler's Top100 Rambler's Top100



изменения "слоистых" Новоселовым. другой полупроводниковой туннелирования плотно